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MI-P5NR-MYX  516D477M035NR6A  MI-P5NT-IXX  M28C17-25NS6  M28256-25NS6T  M68AF031AL55NS1E  S5F325NU02  IDT5V2305NRI  516D106M315NR6A  MI-P5NR-IYY  
IX2127NTR 高电压功率MOSFET和IGBT驱动器 (High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver)
.型号:   IX2127NTR
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描述: 高电压功率MOSFET和IGBT驱动器
High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver
文件大小 :   1365 K    
页数 : 11 页
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品牌   CLARE [ CLARE, INC. ]
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IX2127
逻辑"1"输入电流I
IN
+
与电压
5
200
导通时间与电源电压
200
175
开启上升时间
- 电源电压
输入电流( μA )
4
3
2
1
0
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
电压(V)的
11.5
12.0
导通延迟时间(纳秒)
175
上升时间(纳秒)
150
125
100
75
50
25
0
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
V
BIAS
电源电压( V)
12.0
150
125
100
75
50
25
0
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
电源电压( V)
11.5
12.0
逻辑"1"输入电流I
IN
+
与温度的关系
4.0
3.5
200
175
开启时间(纳秒)
导通时间与温度
(V
CC
=V
BS
=12V)
200
开启上升时间与温度的关系
(V
CC
=V
BS
=12V)
输入电流( μA )
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
125
100
75
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0
-50
-25
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25
50
75
温度(℃ )
100
125
上升时间(纳秒)
3.0
150
150
100
50
0
-50
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
逻辑"0"输入电流I
IN
-
与电压
1.0
关断时间与电源电压
200
关断下降时间
- 电源电压
25
关断延迟时间(纳秒)
关断下降时间(纳秒)
175
150
125
100
75
50
25
0
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
V
BIAS
电源电压( V)
12.0
输入电流( μA )
0.5
20
15
10
5
0
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
电源电压( V)
11.5
12.0
0.0
-0.5
-1.0
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
电压(V)的
11.5
12.0
逻辑"0"输入电流I
IN
-
与温度的关系
1.0
关断延迟时间(纳秒)
输入电流( μA )
200
175
150
125
100
75
50
25
0
-50
关断时间与温度
(V
CC
=V
BS
=12V)
关断下降时间(纳秒)
50
40
30
20
10
0
-50
关断下降时间与温度的关系
(V
CC
=V
BS
=12V)
0.5
0.0
-0.5
-1.0
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-25
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50
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温度(℃ )
100
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-25
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温度(℃ )
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温度(℃ )
100
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8
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