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MUR120  NB100LVEP221  NJU8752V  PI74FCT864T  NJM2594  OMR9601SFP  A3935KJP  PS2501AL-1-E4  NJM2594M  NJU7118F2  
IX2127NTR 高电压功率MOSFET和IGBT驱动器 (High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver)
.型号:   IX2127NTR
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描述: 高电压功率MOSFET和IGBT驱动器
High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver
文件大小 :   1365 K    
页数 : 11 页
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品牌   CLARE [ CLARE, INC. ]
购买 :   
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100%
IX2127
高电平输出电压V
OH
(V
B
-V
HO
)
与温度的关系
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-50
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
输出源电流(mA)
300
250
200
150
100
输出源电流和电压
(V
CC
=V
BS
=V
BIAS
, V
IN
= 5V , PW≤10μs )
输出灌电流(mA)
600
500
400
300
200
100
0
10.0
输出灌电流
与V偏置电压
(V
CC
=V
BS
=V
BIAS
, V
IN
= 0V , PW≤10μs )
输出电压(毫伏)
参考文献。图。 1:R
=20Ω
50
0
10.0
参考文献。图。 1:R
=20Ω
10.5
11.0
11.5
V
BIAS
电压(V)的
12.0
10.5
11.0
11.5
V
BIAS
电压(V)的
12.0
低电平输出电压V
OL
与温度的关系
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-10
-50
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
输出源电流(mA)
350
300
250
200
150
100
50
0
-50
输出源电流
与温度的关系
(V
CC
=V
BS
=12V, V
IN
= 5V , PW≤10μs )
输出灌电流(mA)
600
500
400
300
200
输出灌电流
与温度的关系
(V
CC
=V
BS
=12V, V
IN
= 0V , PW≤10μs )
输出电压(毫伏)
参考文献。图。 1:R
=20Ω
100
0
-50
-25
0
参考文献。图。 1:R
=20Ω
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
25
50
75
温度(℃ )
100
125
启动消隐延迟
- 输入电压
700
600
500
延迟(ns )
CS关闭传播延迟
- 输入电压
250
200
延迟(ns )
350
300
250
200
150
100
50
0
9.0
CS外语教学传播延迟
与V
CC
电源电压
延迟(ns )
400
300
200
100
0
9.0
9.5
10.0
10.5 11.0
输入电压( V)
11.5
12.0
150
100
50
0
9.0
9.5
10.0
10.5 11.0
输入电压( V)
11.5
12.0
9.5
10.0
10.5
11.0
V
CC
电源电压( V)
11.5
12.0
800
700
600
延迟(ns )
启动消隐延迟
与温度的关系
(V
CC
=V
BS
=12V)
CS关机传播延时
与温度的关系
300
250
延迟(ns )
延迟(ns )
350
300
250
CS外语教学传播延迟
与温度的关系
(V
CC
=V
BS
=12V)
500
400
300
200
100
0
-50
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
200
150
100
50
0
-50
-25
0
25
50
75
温度(℃ )
100
125
200
150
100
50
0
-50
-25
0
25
50
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温度(℃ )
100
125
R01
www.clare.com
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