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DT05A150  M38510/31005BBA  M38510/31004SXB  DT05C025  DT03EX  M38510/31004CDC  M38510/31005CCB  M38510/31004SAX  M38510/31005B2X  M38510/31004SDA  
CDBD2080-G 芯片肖特基整流器 (Chip Schottky Barrier Rectifier)
.型号:   CDBD2080-G
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描述: 芯片肖特基整流器
Chip Schottky Barrier Rectifier
文件大小 :   102 K    
页数 : 4 页
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品牌   COMCHIP [ COMCHIP TECHNOLOGY ]
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100%
芯片肖特基整流器
CDBD2020 -G直通。 CDBD20200 -G
反向电压: 20〜 200伏特
正向电流: 20.0安培
器件符合RoHS
特点
-
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏
电流和耐热性。
0.046(1.20)
0.032(0.80)
0.402(10.20)
0.386(9.80)
0.185(4.70)
0.169(4.30)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
D2PAK
-
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
-
低功耗,高效率。
-
高电流能力,低正向电压降。
-
高浪涌能力。
-
Guardring过电压保护。
-
超高速开关。
-
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
-
无铅零件符合环保标准
MIL-STD-19500
/228
2
0.370(9.40)
0.354(9.00)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.024(0.60)
0.016(0.40)
1
0.192(4.8)
0.176(4.4)
3
0.063(1.60)
0.055(1.40)
0.108(2.70)
0.205(5.20)
0.189(4.80)
0.092(2.30)
机械数据
-
案例: TO- 263 / D2PAK ,模压塑料。
-
码头:每MIL -STD- 750焊接的,
方法2026 。
尺寸以英寸
(毫米)
-
极性:由阴极频带指示。
-
Weunting位置:任意
-
重量: 1.46克(约) 。
1
3
2
最大额定值
(在TA = 25 ℃,除非另有说明)
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
最大正向整流电流
(参见图1)
最大正向电压
I
F
=10.0A
最大信号正向浪涌电流, ​​8.3ms的
singlehalf正弦波叠加上
率负荷( JEDEC的方法)
MaximumReverse
当前
Typ.Thermal
阻力
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
结到外壳
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBD CDBD CDBD CDBD CDBD CDBD CDBD CDBD CDBD CDBD
2020-G 2030-G 2040-G 2045-G 2050-G 2060-G 2080-G 20100-G 20150-G 20200-G
单位
V
V
V
A
20
20
14
30
30
21
40
40
28
45
45
31.5
50
50
35
20.0
60
60
42
80
80
56
100
100
70
150
150
105
200
200
140
0.55
0.75
0.85
1.00
V
I
FSM
I
R
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
-55到+125
150
0.5
50
2.0
-55到+150
-65到+175
A
mA
mA
° C / W
°C
°C
工作温度
储存温度
REV :一
QW-BB035
第1页
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