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CDBD6100-G 芯片肖特基整流器 (Chip Schottky Barrier Rectifier)
.型号:   CDBD6100-G
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描述: 芯片肖特基整流器
Chip Schottky Barrier Rectifier
文件大小 :   92 K    
页数 : 4 页
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品牌   COMCHIP [ COMCHIP TECHNOLOGY ]
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100%
芯片肖特基整流器
CDBD620 -G直通。 CDBD6100 -G
反向电压: 20〜100伏特
正向电流: 6.0安培
器件符合RoHS
特点
-
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
DPAK
-
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
-
低功耗,高效率。
0.048(1.20)
0.031(0.80)
0.264(6.70)
0.248(6.30)
0.217(5.50)
0.201(5.10)
0.098(2.50)
0.083(2.10)
0.024(0.60)
0.016(0.40)
-
高电流能力,低正向电压降。
-
高浪涌能力。
-
Guardring过电压保护。
-
超高速开关。
-
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
-
无铅零件符合环保标准
MIL-STD-19500
/228
0.244(6.20)
0.228(5.80)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.039(1.00)
0.031(0.80)
0.024(0.60)
0.016(0.40)
机械数据
-
案例: TO- 252 / DPAK ,模压塑料。
-
码头:每MIL -STD- 750焊接的,
方法2026 。
0.185(4.70)
0.169(4.30)
0.032(0.80)
0.016(0.40)
尺寸以英寸
(毫米)
-
极性:由阴极频带指示。
-
Weunting位置:任意
-
重量: 0.34克(约) 。
1
2=4
3
最大额定值
(在TA = 25 ℃,除非另有说明)
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
正向整流电流(参见图1)
最大正向电压
I
F
=6.0A
正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加额定
负荷( JEDEC的方法)
反向电流
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
结到环境
热阻
结到外壳
工作温度
储存温度
R
θJC
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
3.0
-55到+150
° C / W
°C
°C
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBD
620-G
20
20
14
CDBD
640-G
40
40
28
CDBD
650-G
50
50
35
6.0
CDBD
660-G
60
60
42
CDBD
680-G
80
80
56
CDBD
6100-G
100
100
70
单位
V
V
V
A
0.55
0.75
0.85
V
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
75
0.5
20
80
A
mA
mA
° C / W
REV :一
QW-BB032
第1页
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