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芯片肖特基整流器
CDBD620 -G直通。 CDBD6100 -G
反向电压: 20〜100伏特
正向电流: 6.0安培
器件符合RoHS
特点
-
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
DPAK
-
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
-
低功耗,高效率。
0.048(1.20)
0.031(0.80)
0.264(6.70)
0.248(6.30)
0.217(5.50)
0.201(5.10)
0.098(2.50)
0.083(2.10)
0.024(0.60)
0.016(0.40)
-
高电流能力,低正向电压降。
-
高浪涌能力。
-
Guardring过电压保护。
-
超高速开关。
-
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
-
无铅零件符合环保标准
MIL-STD-19500
/228
0.244(6.20)
0.228(5.80)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.039(1.00)
0.031(0.80)
0.024(0.60)
0.016(0.40)
机械数据
-
案例: TO- 252 / DPAK ,模压塑料。
-
码头:每MIL -STD- 750焊接的,
方法2026 。
0.185(4.70)
0.169(4.30)
0.032(0.80)
0.016(0.40)
尺寸以英寸
(毫米)
-
极性:由阴极频带指示。
-
Weunting位置:任意
-
重量: 0.34克(约) 。
1
2=4
3
最大额定值
(在TA = 25 ℃,除非另有说明)
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
RMS电压
正向整流电流(参见图1)
最大正向电压
I
F
=6.0A
正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加额定
负荷( JEDEC的方法)
反向电流
V
R
=V
RRM
T
A
=25°C
V
R
=V
RRM
T
A
=100°C
结到环境
热阻
结到外壳
工作温度
储存温度
R
θJC
T
J
T
英镑
-55到+125
-65到+175
3.0
-55到+150
° C / W
°C
°C
符号
V
RRM
V
R
V
RMS
I
O
V
F
CDBD
620-G
20
20
14
CDBD
640-G
40
40
28
CDBD
650-G
50
50
35
6.0
CDBD
660-G
60
60
42
CDBD
680-G
80
80
56
CDBD
6100-G
100
100
70
单位
V
V
V
A
0.55
0.75
0.85
V
I
FSM
I
R
I
R
R
θJA
75
0.5
20
80
A
mA
mA
° C / W
REV :一
QW-BB032
第1页
COMCHIP科技有限公司。
芯片肖特基整流器
额定值和特性曲线( CDBD620 -G直通。 CDBD6100 -G )
图1 - 典型正向电流降额
曲线
100
平均正向电流( A)
图2 ,典型正向
特征
6
5
D
国开行
D
国开行
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
瞬时正向电流( A)
65 0
~6
0
V
0
V
1.0
100 120 140 160 180 200
外壳温度( ° C)
20~
4
50
80
T
J
=25
°C
脉冲宽度
300us
1%
占空比
T
J
=25
°C
0.1
图3 -最大非重复正向
浪涌电流
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
正向电压( V)
100
峰值正向浪涌电流( A)
80
FIG.4
-
典型的反向
特征
60
T
J
=25
°C
100
8.3ms
单半
正弦波
JEDEC的方法
40
20
0
1
5
10
反向漏电流,
(MA )
10
50
100
1.0
T
J
=75
°C
循环次数的AT
60Hz
.1
.01
0
20
40
60
80
百分之额定峰值反向电压( % )
~1
0
0
V
62 0
国开行
-
G~
D64
0-G
10
-
G~
D 61
国开行
00-G
100 120 140
REV :一
QW-BB032
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COMCHIP科技有限公司。
芯片肖特基势垒整流器
卷带规格
P
0
P
1
指数洞
d
E
T
F
B
P
A
W
C
12
0
o
D
2
D
1
D
W
1
拖车
.......
.......
10球场(分钟)
设备
.......
.......
.......
.......
利达
.......
.......
10球场(分钟)
结束
开始
进给方向
符号
A
6.90
±
0.10
0.272
±
0.004
B
10.50
±
0.10
0.413
±
0.004
C
2.70
±
0.10
0.106
±
0.004
d
1.50
±
0.10
0.059
±
0.004
D
330.00
±
2.00
13.00
±
0.079
D
1
50.0最小。
1.969 MIN 。
D
2
13.0
±
0.50
0.512
±
0.020
TO-252/DPAK
(mm)
(英寸)
符号
E
1.75
±
0.10
0.069
±
0.004
F
7.50
±
0.10
0.295
±
0.004
P
8.00
±
0.10
0.315
±
0.004
P
0
4.00
±
0.10
0.157
±
0.004
P
1
2.00
±
0.10
0.079
±
0.004
T
0.23
±
0.10
0.009
±
0.004
W
16.00
±
0.30
0.630
±
0.012
W
1
22.00
±
1.0
0.866
±
0.039
TO-252/DPAK
(mm)
(英寸)
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COMCHIP科技有限公司。
芯片肖特基势垒整流器
标识代码
产品型号
CDBD620-G
CDBD640-G
CDBD650-G
CDBD660-G
CDBD680-G
CDBD6100-G
标识代码
SK620Y
SK640Y
SK650Y
SK660Y
SK680Y
SK6100Y
XXXXX
XXXXX / XXXXXX =产品型号标识代码
拟议的焊盘布局
TO- 252 / DPAK
SIZE
(mm)
A
B
C
X1
X2
Y1
Y2
6.90
2.30
11.60
7.00
1.50
7.00
2.50
(英寸)
0.272
0.091
0.457
0.276
0.059
0.276
0.098
C
A
Y1
X1
Y2
X2
B
标准包装
卷包
案例类型
REEL
(PCS)
带尺寸
(英寸)
TO-252/DPAK
3,000
13
REV :一
QW-BB032
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COMCHIP科技有限公司。
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