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芯片肖特基整流器
CDBD8060 -HF直通。 CDBD8100 -HF
反向电压: 60〜100伏特
正向电流: 8.0安培
器件符合RoHS
无卤
特点
-
批量处理的设计,出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
0.059(1.50)
0.031(0.80)
0.413(10.50)
0.394(10.00)
D2PAK
-
低调的表面安装,以便应用程序
优化电路板空间。
0.185(4.70)
0.169(4.30)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
-
低功耗,高效率。
-
高电流能力,低正向电压降。
-
高浪涌能力。
-
Guardring过电压保护。
-
超高速开关。
-
硅外延平面芯片,金属硅交界处。
-
无铅零件符合环保标准
MIL-STD-19500
/228
4
0.370(9.40)
0.327(8.30)
1
0.114(5.30)
0.098(4.40)
2
3
0.063(1.60)
0.055(1.30)
0.024(0.60)
0.014(0.35)
0.205(5.20)
0.189(4.80)
0.106(2.70)
0.091(2.30)
机械数据
-
环氧树脂: U / L 94 -V0率阻燃。
-
案例: TO- 263 / D2PAK ,传递模塑。
-
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208 。
尺寸以英寸
(毫米)
2=4
-
极性:标示。
-
Weunting位置:任意
-
重量: 1.46克(约) 。
3
O
最大额定值
(在TA = 25
C,除非另有说明)
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
V
F
I
FSM
I
R
I
R
R
θJC
T
J
T
英镑
0.75
175
5.0
50
4.0
-55到+150
-55到+150
CDBD
8060-HF
60
42
60
8.0
0.85
CDBD
8100-HF
100
70
100
参数
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
正向整流电流(参见图1)
最大正向电压在我
O
正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
每腿25 ° C最大反向电流(注1)
每腿100 °C最大反向电流(注1)
典型热阻结到外壳每腿
工作温度范围
存储温度范围
单位
V
V
V
A
V
A
mA
mA
° C / W
°C
°C
注:1.脉冲测试: 300μS脉冲宽度, 1 %的占空比。
REV :一
QW-JB027
第1页
COMCHIP科技有限公司。
芯片肖特基整流器
额定值和特性曲线( CDBD8060 -HF直通。 CDBD8100 -HF )
FIG.1- FORWARD降额曲线
图2峰值正向浪涌电流
9
平均Firward整流电流
,(A)
峰值正向浪涌电流
,(A)
300
250
200
150
100
50
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
1
10
循环次数在60Hz
100
外壳温度( ° C)
FIG.3
-
典型的正向特性每支架
100
10
图4 - 典型的反向特性
T
J
=125
°C
瞬时反向电流(毫安)
瞬时正向电流,
(
A
)
1.0
CDBD8060-HF
10
CDBD8100-HF
T
J
=75
°C
0.1
1.0
0.01
T
J
=25
°C
CDBD8060-HF
CDBD8100-HF
0.1
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
正向电压( V)
Peraent额定电压峰值反向电压( % )
REV :一
QW-JB027
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COMCHIP科技有限公司。
芯片肖特基整流器
标识代码
产品型号
CDBD8060-HF
CDBD8100-HF
标识代码
SD8L60
SD8L100
XXXXXX
XXXXXX / XXXXXXX =产品型号标识代码
拟议的焊盘布局
TO- 263 / D2PAK
SIZE
(mm)
A
B
C
X1
X2
Y1
Y2
9.50
2.50
16.90
10.80
1.10
11.40
3.50
(英寸)
0.374
0.098
0.665
0.425
0.043
0.449
0.138
X2
B
C
A
Y1
X1
Y2
标准包装
管PACK
案例类型
(PCS)
(PCS)
TO- 263 / D2PAK
50
2,000
REV :一
QW-JB027
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