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MBT3946DW1T1G  MBT3904DW1T1G  MBT3906DW1T1G  MBT3946DW1T2G  MBT2222ADW1T1G  MBT6429DW1T1G  MBT3906DW1T1G_09  MBSK18S  MBT3904DW2T1G  
CDBFN180-G SMD肖特基势垒整流器 (SMD Schottky Barrier Rectifiers)
.型号:   CDBFN180-G
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描述: SMD肖特基势垒整流器
SMD Schottky Barrier Rectifiers
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品牌   COMCHIP [ COMCHIP TECHNOLOGY ]
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100%
SMD肖特基势垒整流器
CDBFN120 -G直通。 CDBFN1100 -G
电压: 20〜100伏特
电流: 1.0安培
器件符合RoHS
特点
-batch
工艺设计,出色的功耗
提供了更好的反向漏电流。
- 低轮廓表面安装应用程序
为了优化电路板空间。
- 低功耗,高效率。
- 高电流能力,低正向电压村落。
- 高浪涌能力。
-Guardring过电压保护。
- 非常INY塑料SMD封装。
- 超高速开关。
- 硅外延planarchip ,金属硅交界处。
-Lead无零件符合环保
标准MIL -STD -二百二十八分之一万九千五
0.047 (1.2)
0.031 (0.8)
0.106 (2.70)
0.091 (2.3)
0.012 ( 0.3 )典型值。
SOD-323
0.057 (1.45)
0.041 (1.05)
机械数据
-Case : JEDEC SOD- 323 ,模压塑料
-Terminals : Solde镀金,每焊
MIL- STD- 750方法2026 。
-Polarity :由阴极频带指示。
-Mounting位置:任意
- 重量: 0.008克(约) 。
0.016 ( 0.4 )典型值。
0.016 ( 0.4 )典型值。
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值
(在T = 25 ° C除非另有说明)
A
参数
反向重复峰值电压
最大RMS电压
连续反向电压
最大正向电压@I
F
=1.0A
正向整流电流
正向浪涌电流, ​​8.3ms的正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
反向电流V
R
=V
RRM
@T
A
=25
C
@T
A
=125
C
典型值。热阻,结到环境空气
典型值。二极管结电容(注1 )
工作结温
储存温度
注1 : F = 1MHz的应用和4V直流反向电压。
O
O
符号
CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN CDBFN
单位
120-G
20
14
20
130-G
30
21
30
0.55
140-G
40
28
40
150-G
50
35
50
160-G
60
42
60
180-G
80
56
80
1100-G
100
70
100
V
RRM
V
RMS
V
R
V
F
I
O
I
FSM
V
V
V
V
A
A
0.70
0.85
1.0
30
0.5
10
90
120
-55到+125
-65到+150
-55到+150
O
I
R
R
θJA
C
J
T
J
T
英镑
mA
C / W
pF
O
C
C
O
REV :电子
QW-BB022
第1页
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