元器件型号: | 5962-8858702YA |
生产厂家: | CYPRESS SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18 静态存储器 内存集成电路 |
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型号参数:5962-8858702YA参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码 | LCC |
包装说明 | QCCN, |
针数 | 18 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
HTS代码 | 8542.32.00.41 |
风险等级 | 5.8 |
最长访问时间 | 35 ns |
其他特性 | AUTOMATIC POWER-DOWN |
JESD-30 代码 | R-CQCC-N18 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 10.795 mm |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
内存宽度 | 1 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 18 |
字数 | 4096 words |
字数代码 | 4000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 4KX1 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | NO |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QCCN |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | CHIP CARRIER |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.905 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
宽度 | 7.366 mm |
Base Number Matches | 1 |
Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CQCC18, CERAMIC, LCC-18
静态存储器 内存集成电路