CY14B101Q2A-SXI [CYPRESS]

1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C; 1兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下
CY14B101Q2A-SXI
元器件型号: CY14B101Q2A-SXI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1-Mbit (128 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM Data retention: 20 years at 85 °C
1兆位( 128千×8 )串行( SPI )的nvSRAM数据保存:20年,在85 ℃下

静态存储器
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型号参数:CY14B101Q2A-SXI参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
零件包装代码SOIC
包装说明0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级2.18
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.889 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.727 mm
最大待机电流0.00015 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度3.8985 mm
Base Number Matches1