CY14B101Q3-SFXI [CYPRESS]

1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM; 1兆位( 128K ×8 )串行SPI的nvSRAM
CY14B101Q3-SFXI
元器件型号: CY14B101Q3-SFXI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1 Mbit (128K x 8) Serial SPI nvSRAM
1兆位( 128K ×8 )串行SPI的nvSRAM

静态存储器
PDF文件: 总24页 (文件大小:908K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:CY14B101Q3-SFXI参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
零件包装代码SOIC
包装说明0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-16
针数16
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
Factory Lead Time1 week
风险等级5.4
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e4
长度10.2865 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量16
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP16,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.336 mm
最大待机电流0.005 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7.49 mm
Base Number Matches1