CY14B104N-ZSP45XI [CYPRESS]

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM; 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
CY14B104N-ZSP45XI
元器件型号: CY14B104N-ZSP45XI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM

静态存储器
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型号参数:CY14B104N-ZSP45XI参数
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.43
最长访问时间45 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e3
长度22.415 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量54
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.005 A
子类别SRAMs
最大压摆率0.052 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm
Base Number Matches1