CY7C131-35JI [CYPRESS]

1K x 8 Dual-Port Static RAM; 1K ×8双端口静态RAM
CY7C131-35JI
元器件型号: CY7C131-35JI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

1K x 8 Dual-Port Static RAM
1K ×8双端口静态RAM

存储 内存集成电路 静态存储器
PDF文件: 总19页 (文件大小:573K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:CY7C131-35JI参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
零件包装代码LCC
包装说明PLASTIC, LCC-52
针数52
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.73
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
其他特性INTERRUPT FLAG
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e0
长度19.1262 mm
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度19.1262 mm
Base Number Matches1