CY7C1350G-200BGI [CYPRESS]

4-Mbit (128K x 36) Pipelined SRAM with NoBL Architecture; 4兆位( 128K ×36 )流水线SRAM与NOBL架构
CY7C1350G-200BGI
元器件型号: CY7C1350G-200BGI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

4-Mbit (128K x 36) Pipelined SRAM with NoBL Architecture
4兆位( 128K ×36 )流水线SRAM与NOBL架构

存储 内存集成电路 静态存储器 时钟
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型号参数:CY7C1350G-200BGI参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.64
最长访问时间2.8 ns
其他特性PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)200 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数131072 words
字数代码128000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)220
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.04 A
最小待机电流3.14 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.265 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
Base Number Matches1