元器件型号: | CY7C1354CV25-167BGXI |
生产厂家: | CYPRESS SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | 9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture |
PDF文件: | 总25页 (文件大小:338K) |
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型号参数:CY7C1354CV25-167BGXI参数 | |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.84 |
最长访问时间 | 3.5 ns |
最大时钟频率 (fCLK) | 167 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码 | e1 |
内存密度 | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 36 |
湿度敏感等级 | 3 |
端子数量 | 119 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 256KX36 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | BGA |
封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.035 A |
最小待机电流 | 2.38 V |
子类别 | SRAMs |
最大压摆率 | 0.18 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL -TM架构