CY7C1354CV25-167BGI [CYPRESS]

9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture; 9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL -TM架构
CY7C1354CV25-167BGI
元器件型号: CY7C1354CV25-167BGI
生产厂家: CYPRESS SEMICONDUCTOR    CYPRESS SEMICONDUCTOR
描述和应用:

9-Mbit ( 256K x 36/512K x 18 ) Pipelined SRAM with NoBL-TM Architecture
9兆位( 256K ×36 / 512K ×18 )流水线SRAM与NOBL -TM架构

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型号参数:CY7C1354CV25-167BGI参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
Reach Compliance Codecompliant
风险等级5.92
最长访问时间3.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)167 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
湿度敏感等级1
端子数量119
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.035 A
最小待机电流2.38 V
子类别SRAMs
最大压摆率0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1