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CY14B104N-ZSP45XCT 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM (4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM)
.型号:   CY14B104N-ZSP45XCT
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描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
文件大小 :   663 K    
页数 : 22 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
初步
CY14B104L , CY14B104N
4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
特点
功能说明
赛普拉斯CY14B104L / CY14B104N是一个快速静态RAM ,具有
非易失性元件中的每个存储单元。内存
组织成8比特每512K字或16位的256K字
每一个。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术,生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期,而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件(实体店经营)发生
在自动关闭电源。上电时,数据恢复
从非易失性存储器SRAM中(该RECALL操作)。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
15纳秒, 25纳秒,和45 ns访问时间
内部组织为512K ×8 ( CY14B104L )或256K ×16
(CY14B104N)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
商店到QuantumTrap
®
发起的非易失性元素
软件,器件引脚或自动存储
®
在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读,写和召回周期
8毫安典型I
CC
在200 ns的周期时间
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 % , - 10%操作
商用和工业温度
FBGA和TSOP - II封装
符合RoHS标准
逻辑框图
V
CC
V
地址
0
- A
18
CE
OE
WE
DQ0 - DQ7
CY14B104L
CY14B104N
HSB
BHE
BLE
V
SS
1.地址
0
- A
18
和数据DQ0 - DQ7为X8的配置,地址
0
- A
17
和数据DQ0 - DQ15为X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07102修订版* ˚F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年1月2日
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