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MI-QC2PT-MYY  MI-QC2PN-MYY  MI-QC2RK-MWY  MI-QC2RK-MXY  MI-QC2P4-IUY  MI-QC2P4-IYY  MI-QC2PN-MVY  MI-QC2PL-MUY  MI-QC2PR-MYY  MI-QC2PV-MXY  
CY14B104N-ZSP45XI 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM (4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM)
.型号:   CY14B104N-ZSP45XI
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描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
文件大小 :   411 K    
页数 : 21 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
初步
CY14B104L/CY14B104N
4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
特征
• 15纳秒, 25纳秒,和45 ns访问时间
•内部组织为512K ×8或256K ×16
•放手自动
商店
在断电时,只有一个
小电容
商店
to
QuantumTrap
®
非易失性元件启动
通过软件,器件引脚或自动存储
®
在掉电
召回
通过软件或功率可达SRAM启动
•无限的读,写和召回周期
• 8毫安典型I
CC
在200 ns的周期时间
• 200,000
商店
周期来
QuantumTrap
- 20年的数据保存
•单3V + 20 % , - 10%操作
•商业和工业温度
• FBGA和TSOP - II封装
•符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY14B104L / CY14B104N是一个快速静态RAM ,
与在每个存储单元的非易失性元件。内存
组织为每个8位或16的话256K 512K字
每个位。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读,
写周期,而独立的,非易失性的数据驻留在
高度可靠的QuantumTrap细胞。从数据传输
SRAM的非易失性元件(实体店经营)
自动发生在断电。上电时,数据
从恢复到SRAM (该RECALL操作)
非易失性存储器。无论是存储和调用
操作也是在软件控制下可用。
逻辑框图
V
CC
V
地址
0
- A
18
CE
OE
WE
DQ0 - DQ15
CY14B104L/CY14B104N
BHE
BLE
HSB
V
SS
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-07102修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年6月29日
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