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TA8721ASN  TA8759BN  TA8628N  TA8712N  TC1100H  TA8552AFN  TA8710  TA8529  AD5433  AD5445  
CY14B104N-ZSP45XI 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM (4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM)
.型号:   CY14B104N-ZSP45XI
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描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
文件大小 :   411 K    
页数 : 21 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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100%
初步
在存储操作的完成
CY14B104L / CY14B104N仍然禁止,直到HSB引脚
返回高电平。离开HSB无关,如果不使用。
CY14B104L/CY14B104N
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8FC0启动STORE周期
该软件程序的时钟可以与CE控制
读或OE控制的读取。一旦在第六地址
序列已被输入时, STORE循环开始
与芯片将被禁用。读取周期是非常重要的
和不写周期的序列中被使用,虽然这是
没有必要使OE为低电平的顺序是有效的。
的T后
商店
周期已经满足,将SRAM
再次被激活,读取和写入操作。
硬件RECALL (上电)
在上电期间或之后的任何低功率条件
(V
CC
& LT ; V
开关
),内部RECALL请求将被锁存。
当V
CC
再次超过V的检测电压
开关
,
召回周期将自动启动,并采取
t
HRECALL
来完成。
软件商店
从SRAM中的数据传输到非易失性存储器以
一个软件地址序列。该CY14B104L / CY14B104N
软件商店周期由执行顺序启动
从六个具体的地址位置CE控制的读周期
按正确的顺序。在商店周期的擦除
首先执行先前的非易失性数据,接着是
非易失性元素的节目。一旦STORE周期
发起进一步的输入和输出被禁止,直到循环
完成。
由于序列读取来自特定地址是
用于商店开始,重要的是,没有其它READ
或写访问干预的顺序。如果有
中间的读或写访问,顺序将
中止,并没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期,下面读
序列必须执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
软件RECALL
从非易失性存储器传送数据到SRAM
由一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读操作的方式顺序启动
类似的软件商店开始。要启动
RECALL周期,CE的下列顺序读取控制
操作必须被执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4C63启动RECALL周期
在内部,召回是一个两步的过程。首先,对SRAM
数据被清零,第二,非易失性信息是
转移到SRAM单元。之后的T
召回
周期
该SRAM将再次准备好读取和写入
操作。此次召回的操作不会改变数据
非易失性元素。
文件编号: 001-07102修订版* E
第21 5
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