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SO965560  SO965460  SO847070  SO765090  SO885960  SO887060  SO848070  SO863070  
CY14B104N-ZSP45XI 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM (4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM)
.型号:   CY14B104N-ZSP45XI
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描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
文件大小 :   411 K    
页数 : 21 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
初步
表1.模式选择
CE
H
L
L
L
WE
X
H
L
H
OE
X
L
X
L
A15 - A0
X
X
X
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8B45
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4B46
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x8FC0
0x4E38
0xB1C7
0x83E0
0x7C1F
0x703F
0x4C63
CY14B104L/CY14B104N
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
关闭
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
自动存储
启用
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性
召回
IO
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
[2,3,4]
L
H
L
活跃
[2,3,4]
L
H
L
活跃
I
CC2
[2,3,4]
L
H
L
活跃
[2,3,4]
防止自动存储
所述自动存储功能可以通过启动一个被禁止
自动存储禁用序列。读操作的顺序
以类似于软件商店的方式执行
起始。要启动自动存储禁用序列中,
以下的CE控制的读操作序列必须是
执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x8B45自动存储禁用
可以重新启用通过启动一个自动存储的自动存储
启用序列。执行读操作的序列
以类似于软件RECALL启动的方式。对
启动自动存储使能序列,下面
汉英对照读操作顺序必须是
执行:
1.阅读地址0x4E38有效的读
2.读地址0xB1C7有效的读
3.阅读地址0x83E0有效的读
4.阅读地址0x7C1F有效的读
5.读地址0x703F有效的读
6.读地址0x4B46自动存储启用
如果自动存储功能被禁用或重新启用手动
STORE操作(硬件或软件)必须发出
通过以后的掉电保存自动存储状态
周期。部分来自与自动存储工厂
启用。
笔记
2. 6个连续地址单元必须按列出的顺序。我们必须为高电平期间所有六个周期,使非易失性周期。
3.虽然有关于CY14B104L / CY14B104N 19条地址线,只有较低的16条线路被用于控制软件模式。
4. IO状态取决于OE的状态。所示的IO表假设OE低。
文件编号: 001-07102修订版* E
第21 6
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