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HSMH-C110  MC28U064HBYA-0QC00  MC28U032HBYA-0QC00  MC56U064HBYA-0QC00  MC28U128HBVA-0QC00  HF68F/018-1HBXXX  HC-49  HSMH-C110  MC56U032HBVA-0QC00  MC56U128HBVA-0QC00  
CY14B104N-ZSP45XI 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM (4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM)
.型号:   CY14B104N-ZSP45XI
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描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
文件大小 :   411 K    
页数 : 21 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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100%
初步
数据保护
该CY14B104L / CY14B104N可防止数据损坏
在低电压条件下抑制所有外部
开始的存储和写入操作。低电压
检测条件时, V
CC
& LT ; V
开关
。如果
CY14B104L / CY14B104N处于写模式(包括CE和WE
CY14B104L/CY14B104N
低)上电时,召回后,或商店后,写
将被禁止,直至行政长官一负跳变或WE是
检测到。这可以防止意外的写入过程中
上电和掉电条件。
噪声考虑
请参阅CY应用笔记AN1064 。
文件编号: 001-07102修订版* E
第21 7
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