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BZX12  BZX100A  
CY14B104N-ZSP45XI 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM (4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM)
.型号:   CY14B104N-ZSP45XI
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描述: 4兆位( 512K ×8 / 256K ×16 )的nvSRAM
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
文件大小 :   411 K    
页数 : 21 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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100%
初步
[7]
热阻
参数
描述
测试条件
CY14B104L/CY14B104N
48 - FBGA 44 - TSOP II 54 - TSOP II
待定
待定
待定
待定
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
热阻
测试条件遵循的标准测试方法
(结到环境)和用于测量热手续
阻抗,根据EIA / JESD51的。
热阻
(结点到外壳)
AC测试负载
R1 577Ω
3.0V
产量
30 pF的
R2
789Ω
3.0V
产量
5 pF的
R2
789Ω
R1 577Ω
为三态规格
文件编号: 001-07102修订版* E
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