电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
91C1A-B28-A15/A15  AC-162ESBEY-H  AC-162ESBQW-H  AC-162ESAQ-  AC-162ESAY-  91C1AD24B20R51  AC-162ESBE-  91C1AB24D18R51  AC-162ESBQB-H  AC-162ESALY-  
CY14B256L-SP35XCT 256千位( 32K ×8 )的nvSRAM (256-Kbit (32K x 8) nvSRAM)
.型号:   CY14B256L-SP35XCT
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 256千位( 32K ×8 )的nvSRAM
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM
文件大小 :   1212 K    
页数 : 17 页
Logo:   
品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
  浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第2页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第3页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第4页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第5页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第6页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第7页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第8页 浏览型号CY14B256L-SP35XCT的Datasheet PDF文件第9页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
初步
CY14B256L
256千位( 32K ×8 )的nvSRAM
特点
• 25纳秒, 35纳秒,和45 ns访问时间
• “放手”自动
商店
在断电时,只有一个
小电容
商店
以QuantumTrap ™非易失性元件启动
通过软件,器件引脚或自动存储™在掉电
召回
通过软件或功率可达SRAM启动
=无限
读,写,
召回
周期
•10 mA典型我
CC
在200 ns的周期时间
• 200,000
商店
周期来QuantumTrap
20年的数据保存@ 55°C
•有+ 15%的公差3V单电源运行, -10 %
•商业和工业温度
• SOIC和SSOP封装
•符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY14B256L是一个快速静态RAM与nonvol-
atile元件中的每个存储单元。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。该SRAM提供
而独立的,非易失性无限读写周期
数据驻留在高度可靠的QuantumTrap细胞。数据
从SRAM传输到非易失性元件(在
STORE操作)自动发生的断电。
上电时,数据被恢复到SRAM中( RECALL的
操作)从非易失性存储器中。存储和
RECALL操作也是在软件控制下使用。
逻辑框图
QuantumTrap
512 X 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
V
CC
V
商店
动力
控制
商店/
召回
控制
行解码器
静态RAM
ARRAY
512 X 512
召回
HSB
软件
检测
COLUMN IO
A
13
-
A
0
DQ
0
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
DQ
1
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06422修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年1月27日
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7