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CY14E064L-SZ25XCT 64千位( 8K ×8 )的nvSRAM (64-Kbit (8K x 8) nvSRAM)
.型号:   CY14E064L-SZ25XCT
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描述: 64千位( 8K ×8 )的nvSRAM
64-Kbit (8K x 8) nvSRAM
文件大小 :   837 K    
页数 : 16 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
初步
CY14E064L
64千位( 8K ×8 )的nvSRAM
特点
• 25 ns到45 ns的访问时间
• “放手”自动
商店
电力打倒
外接68μF电容
商店
到QuantumTrap
®
非易失性元件是
通过软件,硬件或自动存储启动
®
on
掉电
召回
到SRAM启动的软件或电
•无限
读,写
召回
周期
•10 mA典型我
CC
在200 ns的周期时间
• 1,000,000
商店
周期来QuantumTrap
• 100年的数据保存到QuantumTrap
•单5V工作电压+ 10 %
•商业温度
• SOIC封装
•符合RoHS标准
功能说明
赛普拉斯CY14E064L是一个快速静态RAM与nonvol-
atile元件中的每个存储单元。嵌入式非易失性
元素结合QuantumTrap技术生产
世界上最可靠的非易失性存储器。该SRAM提供
无限的读写周期,而独立的,非易失性
数据驻留在高度可靠的QuantumTrap细胞。数据
从SRAM传输到非易失性元件(在
STORE操作)自动发生的断电。
上电时,数据被恢复到SRAM (该RECALL
操作)从非易失性存储器中。无论是商店和
RECALL操作也是在软件控制下使用。
五金店可以用HSB引脚启动。
逻辑框图
V
CC
V
A
5
量子阱
128 X 512
商店
行解码器
静态RAM
ARRAY
128 X 512
召回
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
动力
控制
商店/
召回
控制
HSB
软件
检测
列I / O
输入缓冲器
COLUMN DEC
A
0
-
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06543修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2006年11月28日
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