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CY14E064L-SZ35XI 64千位( 8K ×8 )的nvSRAM (64 Kbit (8K x 8) nvSRAM)
.型号:   CY14E064L-SZ35XI
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描述: 64千位( 8K ×8 )的nvSRAM
64 Kbit (8K x 8) nvSRAM
文件大小 :   522 K    
页数 : 17 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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100%
CY14E064L
64千位( 8K ×8 )的nvSRAM
特点
功能说明
赛普拉斯CY14E064L是一个快速静态RAM与
非易失性元件中的每个存储单元。嵌入式
非易失性元件结合QuantumTrap技术
生产世界上最可靠的非易失性存储器。该
SRAM提供了无限的读写周期,而
独立的,非易失性数据驻留在高度可靠的
QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非挥发性元素(实体店经营)发生
在自动关闭电源。上电时,数据恢复
对SRAM (该RECALL操作)从非易失性
内存。无论是STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。五金店是
开始与HSB引脚。
25 ns到45 ns的访问时间
在掉电与外部关闭自动STORE手
68 μF的电容
商店到QuantumTrap ™非易失性元素开始
通过软件,在断电时的硬件或自动存储
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读,写和RECALL周期
10毫安典型ICC在200 ns的周期时间
百万STORE周期来QuantumTrap
百年数据保存到QuantumTrap
5V单电源操作+ 10 %
商业级温度
SOIC封装
符合RoHS标准
逻辑框图
量子阱
128 X 512
商店
V
CC
V
A
5
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
行解码器
A
6
动力
控制
商店/
召回
控制
静态RAM
ARRAY
128 X 512
召回
HSB
软件
检测
列I / O
A
0
-
A
12
DQ
0
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
DQ
1
COLUMN DEC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
OE
CE
WE
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 001-06543修订版* D
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2007年8月7日
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