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CY7C291A-25JC 2K ×8可重复编程的PROM (2K x 8 Reprogrammable PROM)
.型号:   CY7C291A-25JC
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描述: 2K ×8可重复编程的PROM
2K x 8 Reprogrammable PROM
文件大小 :   270 K    
页数 : 12 页
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品牌   CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
92A
CY7C291A
2K ×8可重复编程的PROM
特点
•窗的可重编程
• CMOS的最佳速度/功耗
•高速
- 20纳秒(商业)
- 35纳秒(军事)
低功耗
- 660毫瓦(商业和军事)
低待机功耗
- 220毫瓦(商业和军事)
EPROM技术100 %可编程
斯利姆的300万或标准的600万封装可供选择
5V
±10%
V
CC
,商业和军事
TTL兼容的I / O
直接替代双极PROM中
能承受>2001V静电放电
功能说明
该CY7C291A是一个高性能的2K字由8位
CMOS PROM 。它被包装在300密耳的陶瓷封装
这可以配备有一个擦除窗口;当
暴露于UV光PROM中被擦除,并且然后可
重新编程。存储器单元利用成熟的EPROM
浮栅
技术
字节宽
智能
编程算法。
该CY7C291A是一个插件,替代双极型器件
并提供了更低的功耗,可重编程的优势,
卓越的性能和编程的产量。在EPROM
细胞仅需要12.5V的超高压和低电流
要求允许团伙编程。在EPROM单元
允许被测试的100%的每个存储器位置,因为每个
位置写入,擦除,并多次行使前
以封装。每个PROM也测试了在AC perfor-
曼斯保证顾客后编程
产品满足直流和交流的技术指标。
读是由放置一个低电平信号来实现
CS
1
在CS和高电平信号
2
和CS
3
。内容
由地址线寻址的存储器位置的
(A
0
−A
10
)将成为可在输出线(O
0
−O
7
).
逻辑框图
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
O
3
A
8
A
9
A
10
COLUMN
地址
动力
7C293A
O
2
O
1
地址
解码器
O
4
ROW
地址
编程
梅布尔
ARRAY
多路复用器
O
6
O
7
销刀豆网络gurations
DIP
顶视图
A
7
A
6
O
5
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
O
0
O
1
O
2
GND
1
24
2
23
3 7C291A 22
4
21
5
20
6
19
18
7
8
17
9
16
10
15
11
14
12
13
V
CC
A
8
A
9
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
O
7
O
6
O
5
O
4
O
3
LCC / PLCC (不透明专用)
顶视图
A5
A6
A7
NC
V
CC
A8
A9
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
O
0
4 3 2 1 28 27 26
25
5
24
6
7C291A
23
7
22
8
21
9
20
10
19
11
12 1314151617 18
O1
O2
GND
NC
O3
O4
O5
A
10
CS
1
CS
2
CS
3
NC
O
7
O
6
O
0
CS
1
CS
2
CS
3
窗口可用
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文件编号: 38-04011修订版**
3901北一街
圣荷西
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