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MTB60N06J3 N沟道增强型功率MOSFET (N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET)
.型号:   MTB60N06J3
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描述: N沟道增强型功率MOSFET
N -Channel Enhancement Mode Power MOSFET
文件大小 :   265 K    
页数 : 7 页
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品牌   CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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100%
CYStech电子股份有限公司
N沟道增强型功率MOSFET
规格。编号: C708J3
发行日期: 2009.04.29
修订日期:
页页次: 1/7
MTB60N06J3
特点
低栅电荷
简单的驱动要求
符合RoHS标准&无卤封装
BV
DSS
I
D
R
DSON (最大)
60V
12A
60mΩ
等效电路
MTB60N06J3
概要
TO-252
G:门D:漏极
S:源
摹ð S
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
符号
范围
单位
漏源电压
栅源电压
连续漏电流@ T
C
=25°C
连续漏电流@ T
C
=100°C
漏电流脉冲
*1
雪崩电流
雪崩能量@ L = 0.1mH ,我
D
= 12A ,R
G
=25Ω
重复性雪崩能量@ L = 0.05mH
*2
总功率耗散@T
C
=25℃
总功率耗散@T
C
=100℃
工作结存储温度范围
注: * 1
.
脉冲宽度有限的最高结温
* 2 。占空比
1%
MTB60N06J3
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
E
AR
Pd
TJ , TSTG
60
±20
12
8
30
12
7.2
3.6
20
10
-55~+175
V
A
mJ
W
°C
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