KBP205G [DACHANG]
Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A; 单相硅桥式整流器反向电压50〜 1000 V正向电流2.0A
| 元器件型号： | KBP205G |
| 生产厂家： | 
RUGAO DACHANG ELECTRONICS CO., LTD
|
| 描述和应用： | Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A |
| PDF文件： | 总2页 (文件大小：143K) |
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| 型号参数：KBP205G参数 | |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 生命周期 | Obsolete |
| 包装说明 | R-PSIP-W4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| HTS代码 | 8541.10.00.80 |
| 风险等级 | 5.69 |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 最小击穿电压 | 600 V |
| 配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值正向电流 | 60 A |
| 元件数量 | 4 |
| 相数 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大输出电流 | 2 A |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 600 V |
| 子类别 | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | SINGLE |
| Base Number Matches | 1 |
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SIYU
R
KBP201G......KBP207G
Single-phase Silicon Bridge Rectifier
Reverse Voltage 50 to 1000 V
Forward Current 2.0A
特征
Features
·反向漏电流½
Low reverse leakage
High forward surge capability
Surge
overload rating: 60 Amperes peak
·正向浪涌承受½力较强
·浪涌承受½力：60 A
塑封硅整流桥堆
反向电压
50---1000V
正向电流
2.0 A
KBP
·引线和管½皆符合RoHS标准 。
Lead and body according with RoHS standard
机械数据
Mechanical Data
·封装:
塑料封装
Case: Molded Plastic
·极性:
标记模压或印于本½
Polarity: Symbols molded or marked on body
·安装½½:
任意
Unit(mm)
Mounting Position: Any
极限值和温度特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Maximum Ratings & Thermal Characteristics
符号
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP
Symbols
201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G
最大可重复峰值反向电压
Maximum repetitive peak reverse voltage
最大均方根电压
Maximum RMS voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
T
A
=50℃
最大正向平均整流电流
Maximum average forward rectified current
单½
Unit
V
V
V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
R
θJA
Tj
TSTG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
2.0
60
A
A
峰值正向浪涌电流 8.3ms单一正弦半波
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
典型热阻
工½结温
Typical thermal resistance
30
℃
/W
℃
℃
Operating junction
-55 --- +125
-55 --- +150
存储温度
Storage temperature range
电特性
TA = 25℃
除非另有规定。
Electrical Characteristics
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
符号
Symbols
最大正向电压
Maximum forward voltage
KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP
201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G
1.1
10
500
单½
Unit
V
μA
I
F
=2.0A
TA= 25℃
TA = 125℃
V
F
最大反向电流
Maximum reverse current
I
R
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
SIYU
R
特性曲线
Characteristic Curves
正向特性曲线（典型值）
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
10
KBP201G......KBP207G
正向电流降额曲线
FORWARD CURRENT DERATING CURVE
4.0
I
F(A)
Average Forward Rectified Current (A)
正向电流 I
F
(A)
I
F
Instantaneous Forward Current (A)
1
I
F(AV)
(A)
3.0
2.0
Tl=25℃
平均正向电流
1.0
0.1
0
0.2
0.4
0.6
Pulse measurement
per diode
0.8
1
1.2
0
0
40
80
120
160
正向电压 V
F
(V)
VF Instantaneous Forward Voltage (V)
环境温度 Ta(°C)
Tamb, ambient temperature (°C)
浪涌特性曲线（最大值）
MAXIMUM NON REPETITIVE
PEAK FORWARD SURGE CURRENT
100
I
FSM
Peak Forward Surge Current (A)
80
峰值正向浪涌电流 I
FSM
(A)
60
40
20
0
1
2
4
6
10
20
40
100
通过电流的周期
Number of Cycles at 60 Hz.
大昌电子
DACHANG ELECTRONICS
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