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KBP203G 单相硅桥式整流器反向电压50〜 1000 V正向电流2.0A (Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A)
.型号:   KBP203G
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描述: 单相硅桥式整流器反向电压50〜 1000 V正向电流2.0A
Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000 V Forward Current 2.0A
文件大小 :   143 K    
页数 : 2 页
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品牌   DACHANG [ RUGAO DACHANG ELECTRONICS CO., LTD ]
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100%
思雨
R
KBP201G......KBP207G
单相硅桥式整流器
反向电压50〜 1000 V
正向电流2.0A
特征
特点
·反向漏电流½
低反向漏
高正向浪涌能力
浪涌
超载的评价:60安培峰值
·正向浪涌承受½力较强
·浪涌承受& frac12 ;力: 60 A
塑封硅整流桥堆
反向电压
50---1000V
正向电流
2.0 A
KBP
·引线和管& frac12 ;皆符合RoHS指令标准。
铅和符合RoHS规范体
机械数据
机械数据
·封装:
塑料封装
案例:模压塑料
·极性:
标记模压或印于本½
极性:符号模压或标记体
·安装& frac12 ;& frac12 ;:
任意
单位(mm )
安装位置:任意
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP
符号
201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
最大均方根电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
T
A
=50℃
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
单½
单位
V
V
V
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
R
θJA
Tj
TSTG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
2.0
60
A
A
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
典型热阻
工½结温
典型热阻
30
/W
工作结
-55 --- +125
-55 --- +150
存储温度
存储温度范围
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
符号
符号
最大正向电压
最大正向电压
KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP
201G 202G 203G 204G 205G 206G 207G
1.1
10
500
单½
单位
V
μA
I
F
=2.0A
TA = 25 ℃
TA = 125 ℃
V
F
最大反向电流
最大反向电流
I
R
大昌电子
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