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BZG05C62  BZG05C51  BZG05C68  BZG05C4V3  BZG05C5V6  BZG05C43  BZG05C5V1  BZG05C4V7  BZG05C36  BZG05C56  
DS1230Y-200 256K非易失SRAM (256k Nonvolatile SRAM)
.型号:   DS1230Y-200
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描述: 256K非易失SRAM
256k Nonvolatile SRAM
文件大小 :   215 K    
页数 : 12 页
Logo:   
品牌   DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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PDF原版 中文翻译版  
100%
DS1230Y/AB
256K非易失SRAM
www.dalsemi.com
特点
在10年来最低的数据保留
没有外部电源的
数据电源时自动保护
损失
替换为32K x 8易失静态RAM ,
EEPROM或闪存存储器
没有写次数限制
低功耗CMOS
读取和写入存取时间快70纳秒
锂能源电
断开,维持保鲜状态,直到电源
施加首次
±10%
V
CC
工作范围( DS1230Y )
可选
±5%
V
CC
工作范围
(DS1230AB)
可选的工业级温度范围
-40 ° C至+ 85°C ,指定为IND
JEDEC标准的28引脚DIP封装
新PowerCap模块( PCM )封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供
备用锂电池
- 标准引脚所有非易失
SRAM产品
- 分离的PowerCap允许
拆卸方便使用普通螺丝刀
引脚分配
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
28引脚密封封装
740密耳EXTENDED
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
NC
NC
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
NC
NC
NC
V
CC
WE
OE
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
DQ2
DQ1
DQ0
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
GND V
BAT
34引脚PowerCap模块( PCM )
(使用DS9034PC POWERCAP )
引脚说明
A0 - A14
DQ0 - DQ7
CE
WE
OE
V
CC
GND
NC
- 地址输入
- 数据输入/输出
- 芯片使能
- 写使能
- 输出使能
- 电源( + 5V )
- 地面
- 无连接
1 12
111899
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