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描述:
DL-5330S-1490-XFS  DL-5330S-1490-VSA  JANTX1N3047D  DL-5330S-1490-XFA  JANTX1N3047DTR  JANTX1N3048B  DL-5330S-1490-XX  DL-5330S-1490-XSA  DL-5330S-1490-XSAS  DL-5330S-1625-HTS  
DS1330Y 256K非易失SRAM,带有电池监控器 (256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor)
.型号:   DS1330Y
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描述: 256K非易失SRAM,带有电池监控器
256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
文件大小 :   203 K    
页数 : 10 页
Logo:   
品牌   DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
购买 :   
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100%
DS1330Y/AB
掉电/上电时序
参数
V
CC
无法检测到
CE
WE
待用
V
CC
从V转换
TP
为0V
V
CC
无法检测到
RST
活跃
V
CC
摆在0V至V
TP
V
CC
有效期至
CE
WE
待用
V
CC
有效期至结束写保护
V
CC
有效期至
RST
待用
V
CC
有效期至
BW
有效
符号
t
PD
t
F
t
RPD
t
R
t
PU
t
REC
t
RPU
t
BPU
150
200
150
2
125
350
1
150
15
典型值
最大
1.5
(T
A
:见注10 )
单位
µs
µs
µs
µs
ms
ms
ms
s
14
14
14
笔记
11
电池警告时序
参数
电池测试周期
电池测试脉冲宽度
电池测试到
BW
活跃
符号
t
BTC
t
BTPW
t
BW
典型值
24
1
1
最大
(T
A
:见注10 )
单位
hr
s
s
笔记
(T
A
= +25°C)
参数
预计数据保存时间
符号
t
DR
10
典型值
最大
单位
岁月
笔记
9
警告:
在任何情况下都是负面的下冲任幅度,允许当设备处于电池
备份模式。
注意事项:
1.
WE
高一读周期。
2.
OE
= V
IH
或V
IL
。如果
OE
= V
IH
在写周期中,输出缓冲器保持在高阻抗状态。
3. t
WP
被指定为逻辑与
CE
WE
. t
WP
是从后者测
CE
or
WE
变低到的更早
CE
or
WE
要高。
4. t
DS
是从较早的测量
CE
or
WE
要高。
5.这些参数进行采样,用5pF的负载和不是100 %测试。
6.如果
CE
同时出现低电平跳变或后者比
WE
低电平的转换,输出
缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
7.如果
CE
高的跳变发生之前或同时用
WE
高转换,输出
缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
8.如果
WE
较低或
WE
低转变发生之前或同时用
CE
低过渡,
输出缓冲器,在此期间保持在高阻抗状态。
8 10
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