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HP8657A  HP8656  HP8656B  HP8657D  HP7501  HP7501-A36  HPA00002DTR  HP7501-T28  HP8657B  HP8657  
DS1743P-70 Y2KC非易失时钟RAM (Y2KC Nonvolatile Timekeeping RAM)
.型号:   DS1743P-70
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描述: Y2KC非易失时钟RAM
Y2KC Nonvolatile Timekeeping RAM
文件大小 :   250 K    
页数 : 17 页
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品牌   DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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100%
DS1743/DS1743P
该DS1743是保证计时精确度内
±1
每月分钟,在25℃ 。实时时钟是
在工厂校准由Dallas Semiconductor使用非易失性的调谐元件,并且不需要
另外由于这个原因,无法使用,而不是必要的场时钟校准方法。时钟
精度也受电气环境和时应该小心放置的RTC中
的PCB布局最低的一级EMI部分。有关更多信息,请参见应用笔记58 。
时钟精度( DIP MODULE )
时钟精度( POWERCAP MODULE )
在DS1743和DS9034PCX各自独立为精度进行测试。一旦安装在一起时,
模块通常保持时间的精确度内
±1.53
每月(为35ppm )分钟,在25℃ 。时钟
精度也受电气环境和时应该小心放置的RTC中
的PCB布局最低的一级EMI部分。有关更多信息,请参见应用笔记58 。
DS1743寄存器映射
表2
地址
数据
B
7
B
6
B
5
B
4
B
3
B
2
B
1
B
0
功能/量程
1FFF
1FFE
1FFD
1FFC
1FFB
1FFA
1FF9
1FF8
OSC
X
X
BF
X
X
OSC
W
R
X
X
10年
X
X
10分钟
10秒
10世纪
10莫
10日
X
X
10小时
YEAR
MONTH
日期
小时
分钟
世纪
YEAR
MONTH
日期
小时
分钟
控制
00-99
01-12
01-31
01-07
00-23
00-59
00-59
00-39
FT
X
=停止位
W =写位
R =读位
X =参见下面的注释
FT =频率测试
BF =电池标志
注意:
所有显示的“X”位不专用于任何特定的功能,并且可以被用作普通RAM比特。
检索数据从RAM或时钟
的DS1743是在读模式下,每当
OE
(输出使能)为低电平时,
WE
(写使能)为高,并
CE
(芯片使能)是低的。该装置结构允许的纹波通过访问任何的地址位置
在NV SRAM 。有效的数据将在T内的DQ引脚
AA
之后的最后一个地址输入是
稳定,从而提供了
CE
OE
访问时间和状态感到满意。如果
CE
OE
访问时间和
状态不满足,有效数据将可在芯片使能访问的后者(叔
CEA
),或者在输出使能
访问时间(吨
CEA
) 。的数据输入/输出管脚的状态(DQ)是由控制
CE
OE
。如果
输出吨前被激活
AA
中,数据线被驱动到一个中间状态,直到吨
AA
。如果该地址
输入而改变
CE
OE
仍然有效,输出数据有效期为输出数据保持时间
(t
OH
),但将会进入不确定的,直到下一个地址的访问。
4 17
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