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DS1743P-70 Y2KC非易失时钟RAM (Y2KC Nonvolatile Timekeeping RAM)
.型号:   DS1743P-70
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描述: Y2KC非易失时钟RAM
Y2KC Nonvolatile Timekeeping RAM
文件大小 :   250 K    
页数 : 17 页
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品牌   DALLAS [ DALLAS SEMICONDUCTOR ]
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100%
DS1743/DS1743P
将数据写入RAM或时钟
在DS1743处于写模式时
WE
CE
处于其活性状态。写的是开始
参考后者发生过渡
WE
,ON
CE
。该地址必须在整个持有有效
该循环。
CE
or
WE
必须返回非活动最少的t
WR
之前,另一次读的起始或
写周期。数据必须是有效的吨
DS
之前写的结尾,并保持有效吨
DH
之后。在一个
典型应用中,
OE
信号将是在写周期期间高。不过,
OE
设置可以是有源
那小心与数据总线,以避免总线冲突。如果
OE
低前
WE
转换低
数据总线可以成为活性与由地址输入定义的读出的数据。在低过渡
WE
然后禁用输出吨
WEZ
WE
变为有效。
数据保持方式
5伏器件是完全可访问和可写入数据,或仅当V读
CC
大于V
pF的。
然而,当V
CC
低于电源故障点,V
PF
,
(点处写保护时)内
时钟寄存器和SRAM从任何接入受阻。这时(仅安装PowerCap )电源失效复位
输出信号(
RST )被驱动为有效,并保持有效,直到V
CC
返回到正常的水平。当V
CC
下降到低于电池开关点V
SO
(电池电源电平)时,器件的功率是从V切换
CC
销到
备用电池。 RTC的操作与SRAM的数据被从电池直至V保持
CC
返回到
标称水平。在3.3伏的器件是完全可访问和可写入数据或仅当V读
CC
is
大于V
pF的。
当V
CC
低于电源故障点,V
PF
,
对设备的访问被禁止。在这
一次电源故障复位输出信号( RST )被驱动为有效,并保持有效,直到V
CC
返回到
标称水平。如果V
PF
小于VSO
,
设备电源从V切换
CC
到备用电源(Ⅴ
BAT
)
当V
CC
低于V
pF的。
如果V
PF
大于VSO ,设备电源从V切换
CC
到备份
电源(V
BAT )
当V
CC
低于VSO 。 RTC的操作与SRAM的数据被从电池保持
直到V
CC
返回到额定电平。在RST (安装PowerCap只)信号是漏极开路输出,
需要上拉了起来。除了对RST ,所有控制,数据和地址信号必须在关闭时
V
CC
断电。
电池长寿
在DS1743具有被设计为用于时钟活性和时钟,并提供能量的锂电源
RAM中的数据保持在V
CC
供给不存在。该内部电源的能力
足够的DS1743连续供电为在它安装在设备的使用寿命。为
规范的目的,预期寿命为10年,25
°
下与内部时钟振荡器运行
没有V的
CC
力。每个DS1743是从达拉斯半导体附带的锂能源
源断开,保证精力充沛的能力。当V
CC
首先应用的水平大于
V
PF
中,锂电池启用备用电池的操作。实际寿命
因为没有锂电池的能量被消耗DS1743将超过10年更长的时间当V
CC
is
目前。
电池监视器
在DS1743持续监视电池内部的电池电压。电池标志位(第7位)的
当天寄存器用于指示所述电池的电压电平范围。该位是不可写也应该
读取时始终为1 。如果0是永远存在的,疲惫不堪的锂电池便表示两者
RTC和RAM中的内容是值得怀疑的。
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