电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
1A7 硅整流技术规范 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER)
.型号:   1A7
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 硅整流技术规范
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
文件大小 :   371 K    
页数 : 2 页
Logo:   
品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
购买 :   
  浏览型号1A7的Datasheet PDF文件第2页  
PDF原版 中文翻译版  
100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
1A1
THRU
1A7
整流器SPECIALISTS
硅整流技术规范
电压范围 - 50到1000伏特电流 - 1.0安培
特点
*高可靠性
*低泄漏
*低正向压降
*高电流能力
R-1
机械数据
*
*
*
*
*
*
案例:模压塑料
环氧树脂: UL 94V- 0率阻燃
导语: MIL - STD- 202E ,方法208保证
极性:颜色频带端为负极
安装位置:任意
重量: 0.19克
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
在T
A
= 25
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在1.0A DC
@T
A
= 25
o
C
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
@T
A
= 100
o
C
最大满载完整周期反向电流平均
o
.375 *设计(9.5mm )引线长度在T
L
= 75 C
典型结电容(注)
典型热阻
工作和存储温度范围
注:测得1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
1A1
50
35
50
1A2
100
70
100
1A3
200
140
200
1A4
400
280
400
1.0
25
1.1
5.0
500
30
1A5
600
420
600
1A6
800
560
800
1A7
1000
700
1000
单位
安培
安培
uAmps
uAmps
pF
C / W
0
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
15
60
-65到+ 150
0
C
100
NEXT
出口
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7