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MI-P7RX-IYA  MI-P7RW-IXZ  MI-P7RX-IYW  MI-P7RV-MXW  BAV99RWT1  MI-P7RW-IYZ  RWS150A-15  MI-P7RW-MXA  BAV99RWT1  MI-P7RV-MXV  
1N5392 硅整流技术规范 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER)
.型号:   1N5392
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描述: 硅整流技术规范
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
文件大小 :   414 K    
页数 : 2 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
1N5391
THRU
1N5399
整流器SPECIALISTS
硅整流技术规范
电压范围 - 50到1000伏特电流 - 1.5安培
特点
*
*
*
*
低成本
低漏
低正向压降
高电流能力
DO-15
机械数据
*
*
*
*
*
*
案例:模压塑料
环氧树脂: UL 94V- 0率阻燃
导语: MIL - STD- 202E ,方法208保证
极性:颜色频带端为负极
安装位置:任意
重量: 0.38克
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
尺寸以英寸(毫米)
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
.375 *设计(9.5mm )引线长度在T
L
= 70
o
C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
最大正向电压在1.5A DC
o
反向电流最大DC
@T
A
= 25 C
在额定阻断电压DC
@T
A
= 100
o
C
满载最大反向电流平均值,完整周期
.375 *设计(9.5mm )引线长度在T
L
= 75
o
C
典型结电容(注)
典型热阻
工作和存储温度范围
注:测得1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
V
F
1N5391 1N5392 1N5393 1N5395 1N5397 1N5398 1N5399
单位
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.5
50
1.4
5.0
500
30
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
安培
安培
uAmps
uAmps
pF
0
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
20
50
-65到+ 175
C / W
0
C
108
出口
EXI
出口
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