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HSCSNBN600MD5A3  HSCSNBN400MG6A5  HSCSNBN400MD3A3  HSCSNBN400MDAA3  HSCSNBN400MGAB5  HSCSNBN400MDSA5  HSCSNBN400MD5A5  HYB18D256160TF-7F  HSCSNBN600MASA3  HSCSNBN400MG4A3  
2N2955 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2N2955
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   234 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2N2955
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为功率开关电路,系列
分流稳压器,输出级和高保真
放大器器。
TO-3
1.573
最大
(39.96)
.875(22.23)
.759(19.28)
.450(11.43)
.250(6.35)
.480(12.19)
.440(11.18)
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
案例 - 集电极
.135
最大
(3.43)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CEV
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
等级
-100
-60
-70
-7
-15
-
7
单位
V
V
V
V
A
A
W
o
o
.225(5.72)
.205(5.20)
.169(4.30)
.151(3.84)
.043(1.09)
.038(0.97)
1.197(30.40)
1.177(29.90)
.681(17.30)
.655(16.64)
2
.440(11.18) 1.050(26.67)
.420(10.67) 1.011(25.68)
1
案例:收藏家
.169(4.30)
.151(3.84)
115
+200
-65到+200
C
C
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
o
特征
集电极 - 发射极可持续Volatge
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
V
CEO ( SUS )
V
CER ( SUS)
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极电压上
直流电流增益
(1)
第二击穿集电极与
基地正向偏压
电流增益 - 带宽积
小信号电流增益
小信号电流增益截止频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
300μS ,占空比
(1)
-60
-70
-
-
-
-
-
-
-
20
5
-2.87
2.5
15
10
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-0.7
-1
-5
-5
-1.1
-3
-1.5
70
-
-
-
120
-
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
V
V
V
-
-
A
兆赫
-
千赫
测试条件
I
C
= -0.2A ,我
B
=0
I
C
= -0.2A ,R
BE
=100Ω
V
CE
= -30V ,我
B
=0
V
CE
=-100V, V
BE (OFF)的
=-1.5V
V
CE
=-100V, V
BE (OFF)的
= -1.5V ,T
C
=150 C
V
BE
= -7V ,我
C
=0
I
C
= -4A ,我
B
=-0.4A
I
C
= -10A ,我
B
=-3.3A
I
C
= -4A ,V
CE
=-4V
I
C
= -4A ,V
CE
=-4V
I
C
= -10A ,V
CE
=-4V
V
CE
= -40V , T = 1.0秒,不重复
I
C
= -0.5A ,V
CE
= -10V , F = 1MHz的
I
C
= -10A ,V
CE
= -4V中,f = 1KHz的
I
C
= -1A ,V
CE
= -4V中,f = 1KHz的
o
I
CEX
I
EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
是/ B
f
T
h
fe
f
的hFE
2%
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