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MAX6468XS46D3-T  EMZ8T2R  MAX6469TA15BD4  EN29F002B  MAX6469TA15BD1  MAX6468XS33D7-T  EMTS2  MAX6468XS38D3-T  ENC101D05A  MAX6468XS34D3-T  
2N6517 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2N6517
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   213 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2N6517
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为需要高击穿的应用
电压。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
.500
(12.70)
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
350
350
5
500
625
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.050
典型值
(1.27)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.022(0.56)
.014(0.36)
3 2 1
.148(3.76)
.132(3.36)
C
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE(sat)1
350
350
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
30
20
40
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
50
50
0.30
0.35
0.50
0.75
0.85
0.90
2
-
-
200
200
200
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 250V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 30mA时我
B
=3mA
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2mA
I
C
= 30mA时我
B
=3mA
I
C
= 100mA时V
CE
=10V
I
C
= 1mA时, V
CE
=10V
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V
I
C
= 30mA时V
CE
=10V
I
C
= 50mA时V
CE
=10V
I
C
= 10毫安,V
CE
= 20V , F = 20MHz的
V
CB
= 20V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
EmitterCutoff电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极饱和电压
基射极电压上
(1)
(1)
V
BE(sat)2
V
BE(sat)3
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
f
T
C
ob
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
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