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2N6520 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2N6520
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   214 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2N6520
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为需要高击穿的应用
电压。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
.500
(12.70)
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
-350
-350
-5
-500
625
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.050
典型值
(1.27)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.022(0.56)
.014(0.36)
3 2 1
.148(3.76)
.132(3.36)
C
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)1
V
CE(sat)2
V
CE(sat)3
V
BE(sat)1
-350
-350
-5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
20
30
30
20
40
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-50
-50
-0.30
-0.35
-0.50
-0.75
-0.85
-0.90
-2
-
-
200
200
200
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
-
-
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -250V ,我
E
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA
I
C
= -30mA ,我
B
=-3mA
I
C
= -10mA ,我
B
=-1mA
I
C
= -20mA ,我
B
=-2mA
I
C
= -30mA ,我
B
=-3mA
I
C
= -100mA ,V
CE
=-10V
I
C
= -1mA ,V
CE
=-10V
I
C
= -10mA ,V
CE
=-10V
I
C
= -30mA ,V
CE
=-10V
I
C
= -50mA ,V
CE
=-10V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -20V , F = 20MHz的
V
CB
= -20V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
EmitterCutoff电流
集电极 - 发射极饱和电压
(1)
基射极饱和电压
基射极电压上
(1)
(1)
V
BE(sat)2
V
BE(sat)3
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
f
T
C
ob
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
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