电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
HF118F/012-1DS3XXX  DS80C320-ENL  ML9SM31-02-39  M93C56-DS3P/W  ML9SM31-02-35  M93C66-WDS3P/W  M93C86-RDS3P/W  ML9SM31-02-41  DS80C320-ENG  M93C86-DS3P/S  
2N7000 N沟道小信号MOSFET技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET)
.型号:   2N7000
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: N沟道小信号MOSFET技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
文件大小 :   216 K    
页数 : 1 页
Logo:   
品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
购买 :   
   
PDF原版 中文翻译版  
100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2N7000
分立半导体
N沟道小信号MOSFET技术规格
描述
设计用于低电压和低电流的应用
如小的伺服电机控制,功率MOSFET
栅极驱动器,以及其它开关应用。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
钉扎
1 - 来源
2 - 门
3 =漏极
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=1MΩ)
栅源电压(连续)
漏电流(连续,T
C
=25 C)
漏电流(脉冲)
(1)
o
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
等级
60
60
20
200
500
350
2.8
-55到+ 150
-55到+ 150
300
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
毫瓦/ C
o
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
总功耗
o
减免上述25℃
工作结温
储存温度
最大的铅温度,对
10秒Solding目的
3 2 1
C
C
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门正向水稻源漏电流
门水稻源反向漏电流
栅极阈值电压
通态漏电流
(1)
(1)
(1)
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS(on)1
V
DS(on)2
(1)
60
-
-
-
0.8
75
-
-
-
-
100
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
1
10
-10
3
-
0.45
2.5
6
5
-
60
25
5
357
单位
V
µA
nA
nA
V
mA
V
V
µS
pF
pF
pF
o
测试条件
I
D
= 10μA ,V
GS
=0
V
DS
=48V, V
GS
=0
V
GSF
=15V, V
DS
=0
V
GSR
=-15V, V
DS
=0
V
DS
= 3V ,我
D
=1mA
V
DS
=4.5V, V
DS
=10V
I
D
= 75毫安,V
GS
=4.5V
I
D
= 500毫安,V
GS
=10V
I
D
= 75毫安,V
GS
=4.5V
I
D
= 500毫安,V
GS
=10V
V
DS
= 10V ,我
D
=200mA
V
DS
=25V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
-
静态漏源通态电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
(1)
R
DS(on)1
R
DS(on)2
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
2%
热阻,结到环境
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
C / W
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7