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2N7002 N沟道小信号MOSFET技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET)
型号:   2N7002
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描述: N沟道小信号MOSFET技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET
文件大小 :   228 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2N7002
分立半导体
N沟道小信号MOSFET技术规格
描述
设计用于低电压和低电流的应用
如小的伺服电机控制,功率MOSFET
栅极驱动器,以及其它开关应用。
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
钉扎
1 - 门
2 =源
3 =漏极
3
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
漏源电压
漏,栅极电压(R
GS
=1MΩ)
栅源电压(连续)
漏电流(连续,T
C
=25 C)
漏电流(脉冲)
(2)
o
(1)
C)
等级
60
60
20
115
800
200
1.8
-55到+ 150
-55到+ 150
260
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
毫瓦/ C
o
o
o
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
1
2
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.045(1.15)
.034(0.85)
总功耗
o
减免上述25℃
工作结温
储存温度
最大的铅温度,对
10秒Solding目的
.051(1.30)
.035(0.90)
.026(0.65)
.010(0.25)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
C
C
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
o
特征
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门正向水稻源漏电流
门水稻源反向漏电流
栅极阈值电压
通态漏电流
(2)
(2)
(2)
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
I
D(上)
V
DS(on)1
V
DS(on)2
(2)
60
-
-
-
1
500
-
-
-
-
80
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
1
100
-100
2.5
-
0.375
3.75
7.5
7.5
-
50
25
5
625
单位
V
µA
nA
nA
V
mA
V
V
mS
pF
pF
pF
o
测试条件
I
D
= 10μA ,V
GS
=0
V
DS
=60V, V
GS
=0
V
GSF
=20V, V
DS
=0
V
GSR
=-20V, V
DS
=0
V
DS
= 2.5V ,我
D
=0.25mA
V
DS
>2V
DS ( ON)
, V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安,V
GS
=10V
I
D
= 50mA时V
GS
=5V
I
D
= 500毫安,V
GS
=10V
V
DS
>2V
DS ( ON)
, I
D
=200mA
V
DS
=25V, V
GS
= 0中,f = 1MHz的
-
静态漏源通态电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
(2)
R
DS(on)1
R
DS(on)2
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
θJA
热阻,结到环境
C / W
( 1 )封装的功耗可能会导致较低的连续漏极电流。
( 2 )脉冲测试:脉宽380μs ,占空比2 %
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