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描述:
MI-26K-IY  MGDS-150-O-C  MGDSI-10-I-C  MI2021T-01  MI-26K-MY  MI21A-50RD-SF  MGH2812S/883  MI-26O-MW  MI-26K-MX  MI-25O-MV  
2SA733 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SA733
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   215 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SA733
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
在AF放大器的驱动级设计用于
applicatioms 。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
T
英镑
o
C)
等级
-60
-50
-5
-100
-20
250
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
o
o
符号
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
C
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
-60
-50
-5
-
-
-
-0.55
90
100
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-0.18
-0.62
200
180
4.5
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.3
-0.7
600
-
6
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
E
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -60V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -100mA ,我
B
=-10mA
I
C
= -1mA ,V
CE
=-6V
I
C
= -1mA ,V
CE
=-6V
I
C
= -10mA ,V
CE
=-6V
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿Volatge
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
分类h及
FE
范围
R
90~180
Q
135~270
P
200~400
K
300~600
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