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42878-6264  42842C  42816-0312  42878-6360  42878-4218  428788506  42816-0412  42820-3213  42878-9128  42878-8504  
2SB1426 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SB1426
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   215 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SB1426
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
设计用于直流 - 直流转换器的应用程序。
TO-92
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
-20
-20
-6
-3
750
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
(1)
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
-20
-20
-6
-
-
-
82
-
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
240
35
最大
-
-
-
-100
-100
-500
390
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
mV
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -50μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -20V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-0.1A
I
C
= -100mA ,V
CE
=-2V
I
C
= -500mA ,V
CE
= -2V , F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz时,我
E
=0
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
分类h及
FE
范围
P
82~180
Q
120~270
R
180~390
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