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2SB564A 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SB564A
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   213 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SB564A
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为低频功率放大器
应用程序。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
o
C)
等级
-30
-25
-5
-1
800
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
符号
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
(1)
(1)
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
(1)
-30
-25
-5
-
-
-
70
-
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
110
18
最大
-
-
-
-100
-0.5
-1.2
400
-
-
单位
V
V
V
nA
V
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -30V ,我
E
=0
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
I
C
= -1A ,我
B
=-100mA
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -6V , F = 100MHz的
V
CB
= -6V , F = 1MHz的
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
分类h及
FE
范围
O
70~140
Y
120~240
GR
200~400
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