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2SB772 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SB772
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   225 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SB772
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为1W的音频放大器的输出级使用,
电压调节器,DC-DC转换器和继电器驱动器。
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.304(7.72)
.285(7.52)
.105(2.66)
.095(2.41)
TO-126
.041(1.05)
.037(0.95)
.154(3.91)
.150(3.81)
.055(1.39)
.045(1.14)
.152(3.86)
.138(3.50)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(DC)的
集电极电流(脉冲)
基极电流( DC )
总功率耗散(T
C
=25 C)
总功率耗散(T
A
=25 C)
结温
储存温度
o
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
-40
-30
-5
-3
-7
-0.6
10
1
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
o
o
.279(7.09)
.275(6.99)
1
2 3
3 ,典型值
.052(1.32)
.048(1.22)
3 ,典型值
o
o
.620(15.75)
.600(15.25)
.032(0.81)
.028(0.71)
.189(4.80)
.171(4.34)
.022
(0.55)
典型值
3 ,典型值
o
C
尺寸以英寸(毫米)
3 ,典型值
o
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
-40
-30
-5
-
-
-
-
30
100
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-0.3
-1
-
200
80
55
最大
-
-
-
-1
-1
-0.5
-2
-
400
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=-100µA
I
C
=-1mA
I
E
=-10µA
V
CB
=-30V
V
EB
=-3V
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -20mA ,V
CE
=-2V
I
C
= -1A ,V
CE
=-2V
I
C
= -0.1A ,V
CE
=-5V
I
E
=0, V
CB
= -10V , F = 1MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
(1)
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE2
范围
Q
100~200
P
160~320
E
200~400
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