电子元器件数据表 IC PDF查询
English 中文版
  品牌   我要上传
型号:  
描述:
2SB857 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SB857
PDF文件: 下载PDF文件   鼠标右键选目标另存为
网页直接浏览   不需安装PDF阅读软件
描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   196 K    
页数 : 1 页
Logo:   
品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
购买 :   
   
PDF原版 中文翻译版  
100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SB857
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
专为低频功率放大器。
TO-220AB
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.405(10.28)
.380(9.66)
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流(连续)
集电极电流(峰值)
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
-70
-50
-5
-4
-8
40
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
o
o
.625(15.87)
.570(14.48)
1 2 3
.350(8.90)
.330(8.38)
.640
典型值
(16.25)
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
(1)
-70
-50
-5
-
-
-
35
60
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
15
最大
-
-
-
-1
-1
-1
-
320
-
单位
V
V
V
µA
V
V
-
-
兆赫
测试条件
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
C
= -50mA ,我
B
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
V
CB
= -50V ,我
E
=0
I
C
= -2A ,我
B
=-0.2A
I
C
= -1A ,V
CE
=-4V
I
C
= -0.1A ,V
CE
=-4V
I
C
= -1A ,V
CE
=-4V
I
C
= -500mA ,V
CE
= -4V , F = 100MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
f
T
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE2
范围
B
60~120
C
100~200
D
160~320
首页 - - 友情链接
Copyright© 2001 - 2014 ICPDF All Rights Reserved ICPDF.COM

粤公网安备 44030402000629号


粤ICP备13051289号-7