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GSG3801C  GSIB1540N  GSIB1520N  GSIB1580N  GSIB1560N  GSG3809X  
2SC1623 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SC1623
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   239 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SC1623
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为音频放大器应用。
SOT-23
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
1
3
.020(0.50)
.012(0.30)
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
2
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
60
50
5
100
200
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.045(1.15)
.034(0.85)
.051(1.30)
.035(0.90)
.026(0.65)
.010(0.25)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
C
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸(毫米)
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
60
50
5
-
-
-
-
0.55
90
250
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
200
-
3
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.3
1
0.65
600
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 5V ,我
C
=0
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 1mA时, V
CE
=6V
I
C
= 1mA时, V
CE
=6V
I
C
= 10毫安,V
CE
=6V
V
CB
= 6V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
C
ob
380μs ,占空比
分类h及
FE
范围
L4
90~180
L5
135~270
L6
200~400
L7
300~600
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