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描述:
A2M1CCP12VDC1.9D  A2M1CCQ12VDC1.62D  A2M1CCQ24VDC1.6D1  A2M1BSQ24VDC1.9D1  A2M1CSP12VDC1.6R  A2M1CSP12VDC1.62D  A2M1CCQ12VDC1.6D1  A2M1CCQ6VDC1.6D1  A2M1CCP24VDC1.9  A2M1CCQ12VDC1.6DR  
2SD667A 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SD667A
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   215 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SD667A
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为低频功率放大器
应用程序。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
120
100
5
1
2
900
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
(1)
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
(1)
120
100
5
-
-
-
60
30
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
140
12
最大
-
-
-
10
1
1.5
200
-
-
-
单位
V
V
V
µA
V
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 10μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 100V ,我
E
=0
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 150毫安,V
CE
=5V
I
C
= 150毫安,V
CE
=5V
I
C
= 500毫安,V
CE
=5V
I
C
= 150毫安,V
CE
=5V
V
CB
= 10V , F = 1MHz时,我
E
=0
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE
范围
B
60~120
C
100~200
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