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2SD880 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SD880
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   194 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SD880
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为低频功率放大器的应用。
钉扎
1 - 基地
2 =收藏家
3 =发射器
.405(10.28)
.380(9.66)
TO-220AB
.185(4.70)
.173(4.40)
Φ.151
典型值
.055(1.39)
Φ(3.83)
.045(1.15)
.295(7.49)
.220(5.58)
.625(15.87)
.570(14.48)
1 2 3
.350(8.90)
.330(8.38)
.640
典型值
(16.25)
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
60
60
7
3
0.5
1.5
30
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
o
o
.055(1.40)
.045(1.14)
.037(0.95)
.030(0.75)
.562(14.27)
.500(12.70)
.100
典型值
(2.54)
.024(0.60)
.014(0.35)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
EBO
(1)
60
60
-
-
-
-
60
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
3
最大
-
-
0.1
0.1
1
1
300
-
单位
V
V
mA
mA
V
V
-
兆赫
测试条件
I
C
= 1mA时,我
E
=0
I
C
= 50mA时我
B
=0
V
CB
= 60V ,我
E
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
I
C
= 0.5A ,V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ,V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ,V
CE
=5V
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE
范围
O
60~120
Y
100~200
GR
150~300
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