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2SD882S 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SD882S
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   214 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SD882S
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
在0.75W音频输出级设计使用
放大器,电压调节器,DC-DC转换器和
继电器的驱动程序。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
.500
(12.70)
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
o
C)
等级
40
30
5
3
750
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
o
o
符号
.050
典型值
(1.27)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.022(0.56)
.014(0.36)
3 2 1
.148(3.76)
.132(3.36)
C
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
40
30
5
-
-
-
-
30
100
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
45
最大
-
-
-
1
1
0.5
2
-
500
-
-
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=100µA
I
C
=1mA
I
E
=10µA
V
CB
=30V
V
EB
=3V
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 2A ,我
B
=0.2A
I
C
= 20mA时, V
CE
=2V
I
C
= 1A ,V
CE
=2V
I
C
= 0.1A ,V
CE
=5V
I
E
=0, V
CB
= 10V , F = 1MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
(1)
直流电流增益
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
2%
分类h及
FE2
范围
Q
100~200
P
160~320
E
250~500
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