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2SD965 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   2SD965
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描述: 作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   213 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
2SD965
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为使用AF输出放大器和闪光灯。
TO-92
钉扎
1 - 发射极
2 =收藏家
3 = BASE
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
.500
(12.70)
o
o
绝对最大额定值
(T
A
=25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
C)
等级
40
20
7
5
750
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
o
o
符号
.050
典型值
(1.27)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.022(0.56)
.014(0.36)
3 2 1
.148(3.76)
.132(3.36)
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
40
20
7
-
-
-
230
150
-
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
0.35
-
-
150
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
1
800
-
-
50
单位
V
V
V
µA
µA
V
-
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CB
= 10V ,我
E
=0
V
EB
= 7V ,我
C
=0
I
C
= 3A ,我
B
=100mA
I
C
= 0.5A ,V
CE
=2V
I
C
= 2A ,V
CE
=2V
I
E
= 50mA时V
CE
=6V
V
CB
= 20V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
(1)
V
CE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
分类h及
FE1
范围
Q
230~380
R
340~600
S
560~800
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