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BC807 作者PNP外延平面型晶体管技术规格 (TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR)
.型号:   BC807
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描述: 作者PNP外延平面型晶体管技术规格
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小 :   233 K    
页数 : 1 页
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品牌   DCCOM [ DC COMPONENTS ]
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100%
直流分量CO 。 , LTD 。
R
BC807
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
在音频驱动器和输出级设计使用
放大器器。
.020(0.50)
.012(0.30)
SOT-23
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
1
3
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
2
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
-50
-45
-5
-500
225
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.026(0.65)
.010(0.25)
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.045(1.15)
.034(0.85)
.051(1.30)
.035(0.90)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸(毫米)
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CES
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
-50
-45
-5
-
-
-
-
100
-
-
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
100
-
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.7
-1.2
630
-
12
单位
V
V
V
µA
µA
V
V
-
兆赫
pF
测试条件
I
C
=-10µA
I
C
=-10mA
I
E
=-1µA
V
CB
=-20V
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ,我
B
=-50mA
I
C
= -300mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -10mA ,V
CE
= -5V , F = 100MHz的
V
CB
= -10V , F = 1MHz时,我
E
=0
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE
f
T
C
ob
跃迁频率
输出电容
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
380μs ,占空比
分类h及
FE
范围
16
100~250
25
160~400
40
250~630
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